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EE版 - high power MOSFET IGBT device 这个方向如何?
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c******3
发帖数: 19
1
刚转了high power MOSFET device 方向,process/device simulation,
发现这个方向非常窄,想换个工作很难,请问这个方向还有前途吗?
是继续努力还是转成CS啊?
O*R
发帖数: 609
2
所有的device都是渣

【在 c******3 的大作中提到】
: 刚转了high power MOSFET device 方向,process/device simulation,
: 发现这个方向非常窄,想换个工作很难,请问这个方向还有前途吗?
: 是继续努力还是转成CS啊?

c******3
发帖数: 19
3
device靠近物理确实很冷,真的很渣的话就努力转成CS, 郁闷的是这个方向想换个工作
都难得登天....

【在 O*R 的大作中提到】
: 所有的device都是渣
b*******h
发帖数: 2585
4
high power MOSFET IGBT device ?
是两个项目?
c******3
发帖数: 19
5
主要是MOSFET.

【在 b*******h 的大作中提到】
: high power MOSFET IGBT device ?
: 是两个项目?

O*R
发帖数: 609
6
是啊,湾区能去的公司一只手都数得出来的

【在 c******3 的大作中提到】
: device靠近物理确实很冷,真的很渣的话就努力转成CS, 郁闷的是这个方向想换个工作
: 都难得登天....

b*******h
发帖数: 2585
7
你这个MOSFET是宽带半导体SiC?

【在 c******3 的大作中提到】
: 主要是MOSFET.
c******3
发帖数: 19
8
No,SiC 就更窄了

【在 b*******h 的大作中提到】
: 你这个MOSFET是宽带半导体SiC?
w********t
发帖数: 5586
9
给你指条明路。。
把功夫学到家了。。
然后去大公司些连,
再回国创业。。
现在国内缺德就高压大功率器件这一块。。 不过要专家。。 不要 fresh 的。。
also depends on ur professor's level>
which school are u with> Rutgers/ NC State?
b*******h
发帖数: 2585
10
搞技术都窄吧。 硅的功率MOSFET还能玩出什么

【在 c******3 的大作中提到】
: No,SiC 就更窄了
g******u
发帖数: 3060
11
all dead, go to CS.
l*********o
发帖数: 3091
12
美国也要做高铁呀。

【在 b*******h 的大作中提到】
: high power MOSFET IGBT device ?
: 是两个项目?

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